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专利信息

制作单晶硅太阳电池绒面的方法【异议或纠错】

档案编号： CQ-689-1000-2777
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第H01L31/18;H01L21/306;C23F1/40类
授权状态： 已授权
档案内容： 本发明涉及一种制作单晶硅太阳电池绒面的方法,其特点在于将单晶硅置 入碱腐蚀溶液中,该碱腐蚀溶液是NaOH、酒精和葡萄糖的混合水溶液,其中, NaOH的浓度为0.5-1.5％,葡萄糖的浓度为1-5％,NaOH溶液∶酒精∶葡萄糖溶 液＝(9-11)∶1∶(0.01-0.02)；腐蚀温度为85℃,腐蚀时间为30-45分钟。用 本发明方法制备的绒面(正金字塔)小而均匀覆盖整个表面,金字塔塔尖清晰 和低表面反射率(约8％左右),提高了电池短路电流和光电转化效率。本发明 适合大面积,如125×125mmsup2/sup和156×156mmsup2/sup太阳电池的生产使用。
附件下载：  (原始资料备查)

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