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钝化太阳电池表面的方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-689-1000-2793
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L31/18;H01L21/316类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明公开了一种钝化太阳电池表面的方法,其特点是用浓度为50%的四 乙氧基硅烷溶液在15℃-28℃的温度条件下涂在已扩散后的硅片上,在500℃ -750℃加热条件下,四乙氧基硅烷热分解生成SiOsub2/sub和氢气,SiOsub2/sub粘附在硅表面上 经电极烧结时进入硅表面,起到钝化效果。本发明在不改变现有的民用太阳电 池的连续生产程序,在不采用PECVD设备的方法情况下,可使多晶硅太阳电池 的填充因子增加十个百分点以上。
附件下载:  (原始资料备查)

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