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非晶硅-晶体硅异质结太阳电池【异议或纠错】

档案编号: CQ-419-8506-9864
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L31/042;H01L31/072;H01L31/0376类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明公开了一种非晶硅-晶体硅异质结太阳电池的结构,在太阳电 池受光面电极与N型硅扩散层间还包括有一层非晶硅薄膜层;该非晶硅薄膜 层与N型硅扩散层形成异质高低结结构。本发明利用不同性质半导体材料不 同的光吸收特性和半导体异质结带来的二维电子气效应,达到了比普通的 晶体硅太阳电池更高光电转换效率;比普通非晶硅太阳电池更好的长期使 用稳定性和更高的光电转换效率;以及比单纯的非晶硅-单晶硅异质结太 阳电池具有更低的串联电阻,更易于得到较高的光电转换效率。
附件下载:  (原始资料备查)

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