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可提高接触面积和减小电阻的插接式硅芯搭接结构及方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-689-7540-1034
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第C01B33/035类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明属于西门子法生产多晶硅过程中的硅芯搭接方法,尤其是涉及一种可提高接触面积和减小电阻的插接式硅芯搭接结构及方法,在横硅芯(2)两侧分别设有双面开槽(5)形成的搭接面(6)或设置为端部“U”卡口(7);两根竖硅芯(3)的上端分别设有双面开槽(5)形成的搭接面(6)或设置为端部“U”卡口(7);搭接方法包含横硅芯、竖硅芯的先期加工,硅芯搭接后放入还原炉内通入氢气和三氯氢硅,进行还原反应,所需的多晶硅在硅芯表面生成硅芯实现多次多晶硅的还原过程;本发明不仅使所搭接硅芯在搭接处有比较大的接触面,并且无需拉制目前所有工艺中的拉制硅芯圆球体这一步骤,而且确保了成品率的上升。
附件下载:  (原始资料备查)

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