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一种采用空心硅芯生长多晶硅的方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-693-7802-2289
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第C30B29/06;C30B28/14;C01B33/035类
授权状态: 已授权
档案内容: 一种采用空心硅芯生长多晶硅的方法,涉及一种多晶硅的生长方法,包括以下步骤,将两根竖硅芯管(3)的下端与底座(5)上部设置的插柱(4)或套管(13)或插柱(4)与套管(13)之间的间隙连接,两根竖硅芯管(3)的上端与横硅芯管(2)或方硅芯(7)或圆硅芯(10)的两边搭接,获取“∏”形导电回路;本发明通过将两根竖硅芯管的上端与横硅芯管或方硅芯或圆硅芯的两边通过可行的搭接方式,获取“∏”形导电回路,实现了增大硅芯表面面积的目的,达到了多晶棒快速生长的诉求。
附件下载:  (原始资料备查)

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