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一种避免大尺寸外延片裂片的外延生长方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-694-5840-7327
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L33/00;H01L33/12类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明提供一种避免大尺寸外延片裂片的外延生长方法,其具体生长方法包括以下步骤:(1)衬底经高温氢化后,先生长优化的AlxGa1-xN(0.2<x<0.8)缓冲层,Al组分在10%-60%之间,生长时间在1-6min,生长温度在500-580℃之间,压力在100-600Torr之间,Ⅴ/Ⅲ比为10-500;(2)采取超晶格进行生长优化的nAlGaN层:(3)优化的AlxGa1-xN(0.2<x<0.8)缓冲层与nAlGaN层超晶格结构中的Al掺杂量可以进行搭配处理,调节生长过程中产生的应力,减少大尺寸外延片生长过程中产生的翘曲。本发明通过采用优化生长缓冲层及结合优化nAlGaN层外延生长方法,可以有效减小4吋或者6吋外延片的翘曲效应,从而使得外延片生长过程中的应力变小,最终达到避免大尺寸外延片翘曲过大造成的裂片损失。
附件下载:  (原始资料备查)

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