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一种提高LED发光效率的外延生长方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-694-6446-3081
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L33/06(2010.01);H01L33/32(2010.01);H01L33/00(2010.01);类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明提供一种提高LED发光效率的外延生长方法,其外延结构从下向上的顺序依次为:衬底、低温GaN缓冲层、GaN非掺杂层、N型GaN层、多量子阱结构MQW、多量子阱有源层、低温P型GaN层、P型AlGaN层、高温P型GaN层和P型接触层,所述多量子阱有源层中的最后一个量子垒(LQB)其生长工艺中多量子阱有源层中的最后一个量子垒(LQB)为多层或多组分复合结构,多量子阱有源层中的最后一个量子垒(LQB)结构为AlxGa1-xN/InyGa1-yN(0x1,0y1)超晶格结构生长。本发明通过在外延结构有源区中的垒层,优选对MQW结构的最后一个垒层采用AlGaN/InGaN超晶格结构生长,可以获得较高的晶体质量,有效减少晶格失配产生的应力,有效减少电子泄露,提高电子与空穴的辐射复合效率,从而实现发光效率的提高。
附件下载:  (原始资料备查)

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