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一种以蓝宝石衬底为基板的GaN基LED多阶缓冲层生长方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-694-8360-5028
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L33/00;H01L33/06类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明提供一种以蓝宝石衬底为基板的GaN基LED多阶缓冲层生长方法,其多阶缓冲层外延结构,其外延结构的生长方法包括以下具体步骤:将衬底在氢气气氛里进行高温清洁处理,将温度下降到600℃,调整外延生长气氛准备生长多阶LT-AlGaN/MT-GaN/HT-GaN缓冲层,之后生长GaN非掺杂层,生长掺杂浓度稳定的N型GaN层,生长浅量子阱层,生长发光层多量子阱层,生长低温P型GaN层,生长PAlGaN电流阻挡层、高温P型GaN层、P型接触层,外延生长结束后采用纯氮气气氛进行退火处理。本发明通过多阶LT-AlGaN/MT-GaN/HT-GaN缓冲层结构更好的解决蓝宝石与GaN之间的大晶格失配问题,减少穿透位错,改善晶体质量,减小漏电提高外延片的亮度,改进LED发光效率。
附件下载:  (原始资料备查)

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