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一种提高Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体LED芯片抗静电能力的外延生长方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-694-8584-0516
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L33/00;H01L33/14类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明提供一种提高Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体LED芯片抗静电能力的外延生长方法,其LED外延结构包括:GaN非掺杂层、N型掺杂GaN层、n型AlGaN/GaN复合插入层、高温P型GaN层、P型接触层,其n型AlGaN/GaN复合插入层,具体包括以下步骤:生长一层Al组分逐渐升高n型掺杂AlGaN层;生长Al组分不变的n型掺杂AlGaN层;生长一层Al组分逐渐降低的n型掺杂AlGaN层,温度生高至1000-1200℃后生长GaN层,本发明通过在N型GaN层与浅阱层之间插入Al组分变化的n型AlGaN和GaN复合结构层,有效的避免了区域性电流过大造成的器件的击穿,从而提高了器件抗静电的能力;降低器件本身的压电场效应;提高了载流子的注入效率,进而提高氮化镓基LED的发光效率。
附件下载:  (原始资料备查)

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