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一种提高GaN基LED发光亮度的外延方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-694-8584-0517
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L33/00(2010.01);类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明提供一种提高LED发光亮度的方法,其LED外延片结构从下向上的顺序依次为:蓝宝石衬底、低温成核层、高温GaN缓冲层、高温非掺杂GaN缓冲层、复合n型GaN层、复合浅量子阱结构SW、多量子阱发光层结构MQW、低温p型GaN层、p型AlGaN层、高温p型GaN层、p型GaN接触层,;2)控制V型缺陷密度及深度的外延结构:复合浅量子阱分为前后两个结构,前浅量子阱SW采用窄阱宽垒结构,生长2-6周期;后浅量子阱SW采用窄阱窄垒结构,生长5-20周期;发光层量子阱采用窄阱窄垒结构,生长5-12周期,其中量子阱层的厚度在2-5nm之间,垒层厚度在8-15nm之间。本发明可以有效控制V型缺陷的密度及深度,从而提高空穴载流子注入发光层量子阱的效率,提高发光层多量子阱的内量子效率。使用本发明外延工艺后生产14*28mil芯片的亮度测试平均值LOP=62.3mW@454.0nm。
附件下载:  (原始资料备查)

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