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一种基于线圈偏置的AMR线性传感器及其设计方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-725-3280-2812
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第G01R19/00类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明公开了一种基于线圈偏置的AMR线性传感器的设计方法,将AMR线性传感器的基本结构的惠斯通电桥重新布置,具体的,将上两组桥线按照与水平方向成45°角或135°角设计,下面两组电桥与上面两组电桥对称设置,将磁敏薄膜覆盖在AMR线性传感器上并定形,并在磁敏薄膜上先生长一层氮化硅保护层,然后再在上面生长一层A1电极并光刻出图形,当被测试电流产生的磁感应强度|Hy|方向变化时,|导致磁敏薄膜内部磁矩方向与薄膜电流方向夹角发生改变,从而导致薄膜电阻发生变化,导致电桥输出一个电压值,根据这个电压值可以推算出被测电流的大小和方向,本发明能够降低制备工艺难度,增加AMR传感器的测量范围,既解决了霍尔传感器灵敏度低的问题,又解决了AMR传感器测量范围窄的问题,大大增加AMR传感器的应用领域和范围,具有良好的社会价值和经济效益。
附件下载:  (原始资料备查)

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