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一种各向异性磁阻坡莫合金缓冲层的制备方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-744-1680-4888
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01F41/14;H01F41/18;C23C14/34类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明公开了一种各向异性磁阻坡莫合金缓冲层的制备方法,该方法为将清洗干净的基片放入真空腔体,在整个工艺中通入氩气,缓冲层采用脉冲射频作为溅射电源进行沉积,然后沉积NiFe层,最后沉积覆盖层,本发明使用脉冲射频技术,该技术在沉积薄膜时,对靶枪间隙供电,由于脉冲射频为间隙沉积,为材料原子的在基片表面迁移提供了时间,提高了薄膜的平整度,从而增强了薄膜的结晶程度,提高了材料的AMR值;本发明通过脉冲射频沉积技术,使得沉积原子在基片表面充分迁移,提高缓冲层的表面平整度,在常温下能够更好的诱导NiFe薄膜结构的生长,增大晶粒粒径,从而提高坡莫合金薄膜的AMR值,并且会降低矫顽力,使薄膜的灵敏度变得更好。
附件下载:  (原始资料备查)

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