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一种各向异性磁阻芯片的剥离法制备工艺【异议或纠错】

档案编号: CQ-744-1680-5442
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L43/12类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明公开了一种各向异性磁阻芯片的剥离法制备工艺,通过光刻胶在晶圆表面预留相应图形化敏感单元槽径,采用射频或直流磁控溅射把功能膜沉积在图形化敏感单元槽径内,然后用剥离工艺实现功能膜周围光刻胶的剥离,运用剥离技术适合各种膜层的图形化方案,对材料种类没有特别要求,工艺参数可以在较宽的范围内变化,脉冲射频技术能使沉积原子在基片表面充分迁移,提高缓冲层的表面平整度,在常温下能够更好的诱导NiFe薄膜结构的生长,并会降低矫顽力,使薄膜的灵敏度变得更好,通过剥离工艺与脉冲射频技术相结合,既能实现常温下让功能薄膜获得到最好效果,又能克服其他现有工艺苛刻的技术要求,大大减低了生产成本。
附件下载:  (原始资料备查)

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