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一种提纯二氧化锗的方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-789-9085-1206
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第C01G17/02类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明提供了一种提纯二氧化锗的方法,包括如下步骤(1)将普通二氧化锗粉与水接触以初步除杂,干燥得到初级二氧化锗粉,所述普通二氧化锗粉与水接触的速度为8.5-9.5g/min;(2)将二氧化锗粉体在真空条件下快速熔化,得到二氧化锗液;(3)将二氧化锗液冷却为二氧化锗块;(4)缓慢加热使二氧化锗块再熔化,进行第一段恒温处置,然后缓慢降温至750-850℃,进行第二段恒温处置,然后缓慢降温至450-550℃,进行第三段恒温处置,然后缓慢降温至室温,得到高纯二氧化锗。本发明规避了现有方法,公开了一种新的、简便的提纯方法,二氧化锗纯度比较高。
附件下载:  (原始资料备查)

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