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一种紫外LED外延结构及其生长方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-971-2237-7924
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明提供一种紫外LED外延结构及其生长方法,该外延结构包括多量子阱结构,多量子阱结构由下至上依次包括电子减速层、前置发光层以及后置发光层;其中,电子减速层包括至少一组由势阱层InSuba/SubGaSub1-a/SubN和势垒层AlSubx/SubGaSub1-x/SubN层叠设置而成的第一量子阱结构,前置发光层包括至少一组由势阱层InSubb/SubGaSub1-b/Sub和势垒层AlSuby/SubGaSub1-y/SubN层叠设置而成的第二量子阱结构,后置发光层包括至少一组由势阱层InSubc/SubGaSub1-c/SubN和势垒层AlSubz/SubGaSub1-z/SubN层叠设置而成的第三量子阱结构,0.01abc0.2,0.02zyx0.4。该紫外LED外延结构具有双波段,能够使LED直接发出两种波长的紫外光。
附件下载:  (原始资料备查)

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