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一种发光二极管的生长方法和发光二极管【异议或纠错】

档案编号: CQ-971-2238-2033
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明提供一种发光二极管的生长方法和发光二极管,生长方法包括:1)在800-930℃和200Torr下,向反应设备中通入氮气、氨气、三甲基铝、三甲基镓以及三甲基铟,在量子阱发光层上生长第一AlSubx/SubInSuby/SubGaSub1-x-y/SubN层后,停止通入所述氮气、氨气、三甲基铝、三甲基镓以及三甲基铟;2)向反应设备中通入氢气,使第一AlSubx/SubInSuby/SubGaSub1-x-y/SubN层转化为第一AlSubx/SubGaSub1-x/SubN层;3)循环执行步骤1)-步骤2)T次,得到电子阻挡层AlSubx/SubGaSub1-x/SubN;其中,0<x<1,0<y<1,x>y。该方法有助于在对量子阱结构不产生消极影响的基础上生长高质量的电子阻挡层。
附件下载:  (原始资料备查)

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