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进气管结构和多晶硅还原炉【异议或纠错】

档案编号: CQ-360-0795-9171
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第C01B33/035类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明提供了一种进气管结构和多晶硅还原炉,涉及多晶硅生产技术领域,包括进气管本体,进气管本体内设置有导流部,导流部的进口端与进气管本体的内壁连接,沿物料气体的流动方向,导流部的横截面积逐渐减小;进气管本体对应导流部的出口端的侧壁上设置有引流孔。物料气体经过导流部后能够显著提高流速,其中心的高速流体与边缘部相对较低流速之间形成气压差,使得气体从引流孔进入进气管本体成为上升物料气体的一部分,并竖直进入还原炉,提高还原炉底部气体流动性,缓解底部温度较低的情况;进入还原炉的物料气束自中心向边缘形成流度梯度,使得其上升流动保持较高垂直度,避免其偏向吹扫个别硅棒表面致使其生长偏心、倒棒等问题。
附件下载:  (原始资料备查)

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