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一种发光二极管的制备方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-455-9320-4423
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L33/00;H01L21/02;H01L33/06;H01L33/32;B82Y40/00类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明属于半导体照明技术领域,具体涉及一种发光二极管的制备方法。本发明提供的发光二极管的制备方法,在衬底表面依次制备非掺杂GaN层、N型GaN层、量子阱垒发光层、电子阻挡层和P型GaN层,制备所述量子阱垒发光层包括间隔层叠制备量子阱层和量子垒层,所述量子阱层和所述量子垒层的层数相同,与所述N型GaN层接触的为位于外层的量子阱层,制备所述量子阱层的方法为金属有机化学气相沉积法,制备所述量子垒层的方法为分子束外延法。本发明提供的制备方法得到的LED随着工作电流的增大,蓝移和半峰宽度均不发生明显增大,提升发光二极管发光的集中度,从而提高发光亮度。
附件下载:  (原始资料备查)

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