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多晶硅还原炉内壁镀膜装置及方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-467-1520-6087
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第C23C14/34;C23C14/14;C30B28/06;C30B29/06类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明公开了晶硅还原炉内壁镀膜装置及方法,装置包括:底座,具有至少两个气体置换孔;与钟罩形状相同且比钟罩小的中空靶材,靶材的材料与镀膜的目标材料相同,设置于钟罩内部;钟罩和靶材均位于底座上;钟罩具有夹套,夹套可注入具有热量的流动介质;加热装置,设置于靶材内部,用于对靶材进行加热;气体交换装置,用于对钟罩和靶材之间的空间进行气体置换;当靶材置于钟罩内部时,气体置换孔位于靶材和钟罩之间的空间;电源装置,具有与钟罩连接的正极、以及与靶材连接的负极。本发明可以在多晶硅还原炉内壁上制备组织均匀、结合力强的超薄金属薄膜,并且可以同时向钟罩内壁各个位置镀膜,能够避免分段镀膜导致的应力集中或残留问题。
附件下载:  (原始资料备查)

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