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一种硅颗粒制备装置及方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-557-6717-1315
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第C23C16/24;C23C16/442;C01B33/035类
授权状态: 已授权
档案内容: 本申请公开了一种硅颗粒制备装置及方法,属于硅颗粒生产技术领域,硅颗粒制备装置,硅颗粒制备装置包括第一反应筒、第二反应筒、第一管道、第二管道、鼓风组件以及加热组件。加热组件用于对第一反应筒进行加热,并将第一反应筒的内壁加热至超过晶体硅融点的温度。第二反应筒安装于第一反应筒的下方,含硅气体和氢气分别沿第一管道和第二管进入到第二反应筒内,且氢气和含硅气体经过鼓风组件的加速后会以较快的速度进入到第二反应筒内。本发明公开的硅颗粒制备装置制备的晶种和硅颗粒不会沉积在反应筒的内壁,晶种在第二反应筒内做无规则运动时,含硅气体和氢气在晶种的表面发生沉积反应,可以保证晶种的尺寸均匀,且获得的晶种的纯度较高。
附件下载:  (原始资料备查)

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