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一种深紫外线发光二极管及其制备方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-612-4598-3056
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L33/38;H01L33/40类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明提供一种深紫外线发光二极管及其制备方法,涉及半导体器件技术领域。所述深紫外线发光二极管包括:基板,设置在基板上的N型半导体层、发光层、P型半导体层;连接在N型半导体层上的第一电极垫;连接在P型半导体层上的第二电极垫;其中第一电极垫包含金属多层交替结构的欧姆电极。本发明通过设置金属多层交替结构的欧姆电极,并提供新的台面刻蚀工艺,解决了传统工艺欧姆电极接触电阻高、耐高温性差、易老化、外观粗糙等问题。
附件下载:  (原始资料备查)

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