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多晶硅生长过程监测系统、方法及多晶硅生产系统【异议或纠错】

档案编号: CQ-625-9039-7768
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第G05B19/418;C01B33/035类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明提供了一种多晶硅生长过程监测系统、方法及多晶硅生产系统,属于多晶硅生产领域。上述监测系统用于监测还原炉中多晶硅的生长状况,其包括监测模块、分析模块及输出模块;其中,监测模块用于实时监测还原炉内的物料流量及硅棒温度;分析模块用于接收监测模块的监测数据并进行计算,计算后通过输出模块进行输出。通过此系统,能够实时掌握还原炉内的硅棒生长情况;通过对温度、硅棒直径的监测可以判断物料配比和流量是否是最优值;通过杂质浓度监测,测得多晶硅中杂质的浓度变化,而且减少或代替硅棒中杂质的监测,避免了套料和拉晶制样过程,具有比较高的及时性。
附件下载:  (原始资料备查)

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