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一种硅基负极材料及其制备方法与应用【异议或纠错】

档案编号: CQ-069-3703-5371
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;H01M10/052;H01M12/08类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明提供一种硅基负极材料及其制备方法与应用。该硅基负极材料通过以下步骤制备得到:S1.在硅基材料的表面包覆MOF前驱体包覆层,得到第一前驱体;S2.将第一前驱体与铜源物料混合,由此得到第二前驱体;S3.煅烧第二前驱体,使MOF前驱体包覆层发生炭化。本发明提供的硅基负极材料中的MOF包覆层以及铜源物料的存在均能够提高其导电性能;铜源物料还可诱导硅基材料形成高度缺陷的SiO-2氧化层和发挥催化剂的作用,提高硅在酸性溶液中的反应活性,通过这两方面协同耦合促进硅基材料自发和持续地发生电化学氧化,从而提高硅基负极材料的电化学性能。
附件下载:  (原始资料备查)

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