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二次生长法制备高镍三元正极材料的方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-071-0725-9076
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第C01G53/00;H01M4/505;H01M4/525;H01M10/0525类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明公开了一种二次生长法制备高镍三元正极材料的方法,首先通过共沉淀法制备8-10um粒径三元前驱体Ni-(1-x-y)Co-xM-y(OH)-2,完成第一次生长,前驱体高温预氧化处理;然后向反应釜中投入前驱体、去离子水、氢氧化钠及氨水,完成二次生长,所得沉淀进行洗涤过滤,然后高温预氧化;将二次生长所得前驱体与锂源混合后投入烧结炉中,通氧气周期性的保压、泄压烧结。二次生长法制备的前驱体,在一次生长的基础上继续生长,实现二次生长,提高了材料的粒径,一次生长的前驱体高温预氧化解决了内部在烧结过程中与氧接触不充分的问题;采用的呼吸式烧结方法,在烧结时提供足量的氧气,最终获得粒度大结构有序性好的高镍三元材料。
附件下载:  (原始资料备查)

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