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一种用于TOPCon电池的去绕镀方法及TOPCon电池的制备方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-072-0514-5558
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L21/308;H01L21/306;H01L31/18类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明涉及太阳能电池技术领域,具体公开一种用于TOPCon电池的去绕镀方法及TOPCon电池的制备方法。所述去绕镀方法包括如下步骤:在磷掺杂后的硅片背面制作水膜,用氢氟酸溶液去除正面和侧面绕镀的磷掺杂层;将所得硅片放入含有添加剂的KOH溶液或NaOH溶液中浸泡,去除硅片正面的多晶硅,取出硅片水洗;将所得硅片置于KOH或NaOH与H-2O-2的混合溶液中浸泡,水洗后,置于盐酸溶液中浸泡,取出硅片水洗,浸泡处理均在对应的反应槽内完成,所述反应槽内部设有两组循环鼓泡系统。本发明提供的去绕镀方法能有效解决TOPCon电池的绕镀现象,保证产品的优良率,解决绕镀导致的外观问题,EL不合格问题,提高了电池转换效率。
附件下载:  (原始资料备查)

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