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专利信息

一种低温相锰铋薄膜及其制备方法【异议或纠错】

档案编号： CQ-082-4726-6203
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第C23C14/18;C23C14/35;C23C14/58;H01F41/18;H01F41/22类
授权状态： 已授权
档案内容： 本发明公开一种低温相锰铋薄膜的制备方法,采用磁控溅射方法共溅射沉积锰铋,然后将所得薄膜进行后期退火处理,保温完成后采用快速降温过程,得到低温相锰铋薄膜。本发明还公开使用这种制备方法制得的低温相锰铋薄膜。本发明通过降温速率的增加,使得过冷度增大,导致非自发成核能力降低,形核数目增加,因此晶粒尺寸和颗粒尺寸都变小。而这两个数据的减小则会提高翻转过程以钉扎作用为主要机制的材料的矫顽力。
附件下载：  (原始资料备查)

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