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成立历史第20 

一种提高碳化硅陶瓷的生长速率的方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-105-9843-3759
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第C04B35/565;C04B35/622类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明涉及碳化硅陶瓷制备技术领域,具体涉及一种提高碳化硅陶瓷的生长速率的方法,通过提供一种在坩埚本体内设置有多孔隔板,多孔隔板将坩埚内区域自上而下分隔为气相区、上粉体放置区、下粉体放置区的高纯石墨坩埚,并将其用于高温物理气相传输法制备碳化硅陶瓷,通过在碳化硅粉体中加入外加硅粉,并结合粉料分布形态和制备参数的调整实现提高碳化硅陶瓷的生长速率的技术目的。
附件下载:  (原始资料备查)

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