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晶体生长时利用多层套筒形成的温度梯度控制结构及方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-107-8300-6636
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第C30B11/00;C30B28/06类
授权状态: 已授权
档案内容: 一种晶体生长时利用多层套筒形成的温度梯度控制结构及方法,涉及一种晶体材料的生长设备,在炉室(2)内设有坩埚(7),坩埚的下部处于多层套筒内,多层套筒下端处于于支撑环上,支撑环处于炉室底板或底部保温层(16)上,形成坩埚的下部独立空间;在多层套筒外部设有发热体(5);冷却介质降温机构设置在多层套筒内的下部;由冷却介质降温机构获取的坩埚底部低温区形成坩埚的温度梯度;当发热体对坩埚加热时,通入坩埚下部的冷却介质降温机构的冷气便会处于多层套筒内,最大可能的使冷能不外泄;而此时的发热体也受到冷能的影响最小,较好的实现了坩埚上部温度高下部温度底的温度梯度;由于多层筒套的作用,可确保坩埚极少出现非均匀晶核。
附件下载:  (原始资料备查)

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