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专利信息

金刚石线切割硅晶片的清洗方法【异议或纠错】

档案编号： CQ-689-5561-0324
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第B08B3/12类
授权状态： 已授权
档案内容： 本发明公开了金刚石线切割硅晶片的清洗方法,先将硅晶片放入超声波清洗机中脱胶,再将硅晶片放入30-50℃的纯水中使用超声波进行清洗,然后将硅晶片放入加有乳酸且温度为60-80℃的的纯水槽中清洗并去除硅晶片表面残胶,而后将硅晶片放入插片机进行插片,再将硅晶片放入纯水中用超声波清洗,再将硅晶片放入温度为40-60℃的硅片清洗剂、氢氧化钠和水的混合液中用超声波清洗,再将硅晶片放入温度为20-30℃的纯水中用超声波清洗,再将硅晶片放入温度为100-140℃的甩干机中甩干。本发明能有效去除硅晶片表面脏污,达到太阳能电池用硅晶片表面要求；对金刚石线切割硅晶片进行类制绒,可提高后续电池片制绒效果,清洗废水经简单处理后可达标排放。
附件下载：  (原始资料备查)

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