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专利信息

一种GPP芯片制造的光刻工艺【异议或纠错】

档案编号： CQ-736-7400-0111
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第H01L21/027;G03F7/26类
授权状态： 已授权
档案内容： 本发明公开一种GPP芯片制造的光刻工艺,包括如下步骤：(1)涂胶：在清洁干燥的硅片基材表面涂布不含二甲苯溶剂的负性光刻胶；(2)前烘,以去除胶膜中的溶剂；(3)曝光；(4)显影：采用碱性水溶液进行恒温显影；(5)定影：采用去离子水对基材进行冲洗；(6)后烘：去除残存溶剂,使胶膜固化致密；(7)腐蚀：以酸混合液腐蚀基材；(8)去胶。重复光刻工艺以制作复杂图形。本发明工艺避免了使用含有毒有害二甲苯的环化橡胶系负性光刻胶,以碱性水溶液和去离子水取代了有害的易挥发有机显影液和定影液,使光刻工艺过程变的安全健康环保。
附件下载：  (原始资料备查)

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