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一种用于n型透明半导体薄膜的纳米锡酸锌材料的合成方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-447-5263-5550
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第C01G19/00;B82Y30/00类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明公开了一种用于n型透明半导体薄膜的纳米锡酸锌材料的合成方法,将氯化锌、氯化锡和四丁基铵以一定比例共沉淀,然后利用带搅拌的水热合成制备出粒径在30~300纳米范围内可调的锡酸锌纳米材料。锡酸锌作为新型半导体材料,具有高稳定性、高电子迁移率,化学组成与能带结构是易于控制的优势。较之氧化锌、二氧化锡,锡酸锌在染料敏化太阳能电池等薄膜光伏电池领域更具应用潜力。
附件下载:  (原始资料备查)

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