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镍钴二元前驱体及其制备方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-451-7333-9190
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第C01G53/00;H01M4/525;H01M10/0525类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明提供了一种镍钴二元前驱体及其制备方法。本发明采用间歇式工艺,通过氢氧化物共沉积法分两段合成了表面无裂纹、大粒径、球形度高的镍钴二元前驱体。在前驱体生长阶段随粒径增长不断提高体系pH值,使二次粒子表面生长两种不同尺寸的一次粒子,解决了一次粒子间因应力不均而出现的开裂现象。本发明所述的方法无任何附加成本,所制作的镍钴二元前驱体D50为15~20μm,振实密度为1.9~2.2g/cm3,比表面积为6~12m2/g,产品物性指标优良,一致性高,工艺过程稳定,是一种优良的镍钴铝正极前驱体材料。
附件下载:  (原始资料备查)

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