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钠、硫杂质含量低的富镍大粒径三元前驱体的制备方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-514-8160-8651
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第C01G53/00;H01M4/505;H01M4/525;H01M10/0525类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明属于锂离子电池材料技术领域,具体涉及一种钠、硫杂质含量低的富镍大粒径三元前驱体的制备方法。本发明通过控制pH降低速率及pH降低幅度来切换成核及晶体生长阶段,在成核阶段形成细小颗粒的疏松团聚体。将pH值降低至目标范围后,前驱体开始转换为晶体生长阶段,后续新生成的沉淀物将在原有的二次颗粒上生长。共沉淀得到的前驱体,存在从颗粒表面至内核径向的裂纹,在洗涤过程中为杂质离子的去除提供了通道,使得颗粒内部的Na~+及SO-4~(2-)得以有效去除。在陈化过程中,将上层清夜与洗涤后的前驱体混合,通入碱液进行陈化反应,前驱体表面颗粒裂纹得到修复。该前驱体经混锂烧结成正极材料后,无开裂现象。
附件下载:  (原始资料备查)

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