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一种高振实密度表面处理纳米二氧化硅的制备方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-071-0504-2934
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第C01B33/18;C08K9/06;C08K3/36类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明提供了一种高振实密度表面处理纳米二氧化硅的制备方法,具体步骤为:S1、以A类气相二氧化硅和/或B类气相二氧化硅为原料,加入疏水改性剂改性得到疏水二氧化硅,使其水接触角≥105°、碳含量≥2%、比表面积波动幅度≤30 m~2/g;S2、以S1中的疏水二氧化硅为原料,加入锆珠进行干法球磨,即得振实密度提高的二氧化硅。本发明提供的方法通过先疏水改性,后干法球磨去结构化的工艺,能够大幅提高二氧化硅的振实密度,使其在有机聚合物体系中易添加、易分散,工艺性好,能实现高添加、低增稠等效果,尤其适用于透明体系如对硅橡胶进行补强。
附件下载:  (原始资料备查)

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