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一种提高瓷绝缘子闪络电压的方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-073-4098-6845
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01B19/02;H01B19/04;H01B17/50类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明公开了一种提高瓷绝缘子闪络电压的方法,涉及瓷绝缘子领域,将瓷绝缘子放入处理液中超声浸渍,浸渍后干燥,所述处理液包括基胶10-50份、改性纳米二氧化硅粒子1-10份、端羟基聚二甲基硅氧烷、丁基缩水甘油醚、硅烷偶联剂1-4份、交联剂1-8份;其中所述改性纳米二氧化硅粒子的制备方法如下:将纳米二氧化硅粒子分散在丙酮溶液中,然后加入氨丙基三乙氧基硅烷,获得分散液,继续加入含有石蜡的含氟聚合物溶液中进行乳化,制得。本发明通过在瓷绝缘子表面涂覆一层防闪络的涂层,在涂层中加入改性的纳米二氧化硅粒子,使其具有更优异的疏水性能,减少水分子在瓷绝缘子表面的停留时间,减少其他污秽的附着,从而降低闪络的发生。
附件下载:  (原始资料备查)

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