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专利信息

高容量高首效硅基负极材料、制备方法及应用【异议或纠错】

档案编号： CQ-095-1309-6278
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第H01M4/48;H01M4/38;H01M4/36;H01M4/62;H01M10/0525类
授权状态： 已授权
档案内容： 本发明提供一种高容量高首效硅基负极材料及制备方法,通过硅破碎细化过程中产生的新鲜表面富含不饱和悬挂键与湿磨过程剂作用,在硅表面原位生成二氧化硅(SiO-2)非晶覆盖层,实现原位表面反应包覆结构,再采用热处理将表层高价态二氧化硅转为低价态活性硅氧SiOx,实现Si/O比例调控,并得到以内核硅为基,外层为活性SiOx层的“核壳”结构的粉体材料。通过本发明的制备方法得到的硅基负极材料既可以缓解体积膨胀,又可以减少首次充放电过程中材料表面形成固相电解质(SEI)膜对锂离子的消耗,从而提高首次库伦效率。
附件下载：  (原始资料备查)

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