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专利信息

一种整流器【异议或纠错】

档案编号： CQ-697-2183-4636
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第H01L27/07;H01L21/8249类
授权状态： 已授权
档案内容： 本实用新型公开了一种整流器；所述整流器包括重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第二导电类型保护环区、第二导电类型体区、第一导电类型增强层、场介质层、栅介质层、栅电极层、上电极金属层和下电极金属层；所述整流器属于超势垒整流器类型,其采用只增加一次离子注入方式形成的增强层能够对MOS沟道区和位于体区间的类似JFET区进行杂质浓度调节,从而该整流器具有制造工艺简单和超低VF的优点。
附件下载：  (原始资料备查)

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