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专利信息

精密多晶硅电容器非线性校准工艺设计与集成制造方法【异议或纠错】

档案编号： CQ-105-3172-5199
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第H10N97/00类
授权状态： 已授权
档案内容： 本发明公开精密多晶硅电容器非线性校准工艺设计与集成制造方法,包括以下步骤：1)形成N型阱区,P型阱区；2)在N型阱区与P型阱区间采用场氧-截止注入隔离或槽隔离；3)淀积P0埃米电容器下极多晶膜层；4)在电容器下极多晶膜层内刻蚀出中心对称的元胞；5)依据工艺需求生长所需厚度的介质层,并填充步骤4)形成的元胞间隙；形成电容器下极板保护结构；6)在电容介质层上方淀积P1埃米电容器上极多晶膜层,并完成N型元素注入掺杂；7)在电容器上极多晶膜层内刻蚀出元胞；8)形成电容器上极板保护结构；本发明采用耦合桥连工艺校准设计实现多晶电容器上、下电极无极性连接,集成电容器的电压系数达到＜20ppm/V精密线性水平。
附件下载：  (原始资料备查)

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