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专利信息

一种用于功率MOSFET低欧姆接触金属结构的制造方法【异议或纠错】

档案编号： CQ-697-2244-8044
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第H01L21/28类
授权状态： 已授权
档案内容： 本发明提供了一种用于功率MOSFET低欧姆接触金属结构的制造方法,其方法步骤是：按照功率MOSFET的常规方法完成body区、源区、栅介质层、多晶硅、介质层从下往上依次覆盖而成准备待加工器件后；在待加工器件表面依次溅射Ti和TiN；然后进行退火工艺；再进行剥离TiN和Ti,在接触孔底部形成TiSi层,并牢固黏附在接触孔底部；最后溅射互连金属铝薄膜、光刻并刻互连金属铝薄膜及合金,在接触孔底部的TiSi表面和介质层表面形成互联金属铝薄膜,从而形成所述用于功率MOSFET的低欧姆接触金属结构。本发明消除了TiN应力与厚铝应力叠加造成的圆片翘曲、I线投影光刻机无法吸片的问题,同时保持了低欧姆接触的优点,可广泛用于功率MOSFET的工艺制造领域。
附件下载：  (原始资料备查)

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