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专利信息

一种SiGeBiCMOS工艺中保护HBT有源区的方法【异议或纠错】

档案编号： CQ-698-1060-6276
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第H01L21/8249类
授权状态： 已授权
档案内容： 本发明提出了一种SiGe#BiCMOS工艺中保护HBT有源区的方法,针对SiGe#BiCMOS工艺中CMOS栅多晶硅氧化层SPACER大面积的刻蚀时,在干法刻蚀设备性能较差,刻蚀工艺菜单优化不是很好情况下,SiGe#HBT待SiGe基区外延表面容易受到刻蚀损伤,致使SiGe#HBT面临失去功能或者降低性能,降低成品率的情况下,本发明提供了一种SiGe#BiCMOS工艺中保护HBT有源区的方法来克服这个困难。相对于通常SiGe#BiCMOS工艺增加了一张特别设计的光刻版,增加了工艺加工余度,放宽了SiGe#HBT有源区的工艺窗口,降低了对干法刻蚀设备性能的苛刻要求,提高SiGe#BiCMOS中SiGe#HBT工艺稳定性和成品率,间接降低工艺成本,提高了工艺效益。
附件下载：  (原始资料备查)

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