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一种基于光伏应用的VDMOS旁路开关【异议或纠错】

档案编号: CQ-698-3040-2826
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L31/02;H01L29/78;H01L29/423类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明公开了一种基于光伏应用的VDMOS旁路开关,由N沟道的具有超低导通压降的VDMOS、驱动控制模块和电容组成,VDMOS为核心部分,C+接电容正端,C-接电容负端,G接VDMOS栅级,D+接VDMOS阳极,D-接VDMOS阴级,该电路具有旁路开关能力。电容和驱动控制模块用于VDMOS的驱动控制,而该结构包括光伏电池元胞的旁路开关的VDMOS,当光伏电池元胞中出现热点时,电流就会经旁路开关流过而不会阻断,在一切都正常的情况下旁路开关不会起作用的。本设计的VDMOS,仿真得出旁路开关的导通压降可以降低到50mV以下,反向漏电流更小,功耗更低,温度特性更好,寿命更长和特性更稳定。
附件下载:  (原始资料备查)

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