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专利信息

一种用于检测平面VDMOS栅击穿的测试结构【异议或纠错】

档案编号： CQ-699-8101-5095
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第H01L29/78;H01L29/06;H01L23/58类
授权状态： 已授权
档案内容： 本实用新型公开了一种用于检测平面VDMOS栅击穿的测试结构,其特征在于：所述结构中包含一个由多晶电容板、栅氧、外延层、阱区和源区组成电容板测试区,电容板上的开孔区嵌套于多晶电容板内部。其中阱区和源区围绕多晶电容板边缘进掺杂,且在多晶电容板的一侧将阱区和源区作为引出端连接至另一端。所述结构的多晶电容板周围包含了一个多晶保护环,其尺寸与实际VDMOS原胞尺寸保持一致。所述结构包含两个测试PAD,PAD1接衬底上阱区和源区的引出端,PAD2接多晶电容板。本实用新型通过多晶保护环和多晶电容板开孔嵌套的处理,可以完全真实模拟VDMOS实际多晶柵在整个加工过程完成后的真实结果,最大程度上实现对柵击穿的准确评估。
附件下载：  (原始资料备查)

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