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结合隧穿氧化层的选择性发射极单晶PERC电池的制备方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-709-4220-0782
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/18类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明涉及一种结合隧穿氧化层的选择性发射极单晶PERC电池的制备方法,包括:双面制绒;单面或双面氧化处理,形成氧化硅;单面或双面多晶硅沉积并掺杂磷素;正面印刷掩膜;去除掩膜以外的多晶硅及氧化硅;去除掩膜;单面或双面掺杂磷素;背面刻蚀并去除磷硅玻璃;背面氧化铝钝化;双面PECVD镀膜;背面激光开膜;背面印刷背银和铝浆,正面沿掩膜位置印刷电极;烧结并光电注入,得到电池。本发明采用隧穿氧化层和选择性发射极技术应用于单晶PERC电池,与传统的选择性发射极电池相比,在发射极与基底之间插入隧穿氧化层,增强电池片正面钝化效果,避免了正面电极与硅片直接形成欧姆接触产生极大的复合,从而提升开路电压。
附件下载:  (原始资料备查)

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