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P型异质结全背电极接触晶硅光伏电池制备方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-316-7276-6801
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L31/18;H01L31/0747;H01L31/0224;H01L31/0216类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明涉及一种P型异质结全背电极接触晶硅光伏电池制备方法,包括:进行双面制绒,形成绒面结构;双面氧化及本征多晶硅而后进行磷扩散,形成遂穿氧化钝化层;利用高温氧化工艺形成背面的掩膜层;对背面进行激光开膜并清洗,利用碱抛工艺去除正面的本征多晶硅;对背面进行硼浆料印刷,烘干形成P+层;对正面采用硼源掺杂形成P+层;利用HF去除BSG及PSG掩膜层;碱抛的方式去除多余的多晶硅层;双面氧化铝、正面氮氧化硅及背面氮化硅,形成钝化层;丝网印刷形成P+finger、N+finger;低温烧结工艺完成电池片制作。本发明在现有的PERC技术上将IBC电池的结构引入,同时引入本征非晶硅的结构,可有效提升VOC及ISC,进而大幅度的提升效率。
附件下载:  (原始资料备查)

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