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一种适用于P+选择性发射极电池的硼工艺【异议或纠错】

档案编号: CQ-316-7297-3148
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L31/0224;H01L31/18类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明涉及一种适用于P+选择性发射极电池的硼工艺,包括以下步骤:(1)恒定源硼旋涂;(2)烘干;(3)进舟于炉管内;(4)检漏;(5)升温氧化;(6)无氧推进;(7)高温氧化;(8)降温;(9)低温乘积硼源;(10)低温推进;(11)出舟;(12)激光掺杂。本发明通过恒定源硼推进与气体硼源掺杂的共同作用,一方面形成了轻掺杂区域,拥有较高表面浓度浅结的结构,可有效地提升电池的开路电压和短路电流;另一方面用激光进行二次掺杂形成重掺杂区域,可有效的改善欧姆接触,提升填充因子。
附件下载:  (原始资料备查)

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