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一种GaAs基LED管芯制作方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-719-5380-2255
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L33/00类
授权状态: 已授权
档案内容: 一种GaAs基LED管芯制作方法,包括如下步骤:a)将生长有外延层的砷化镓基LED晶片进行背面减薄;b)将减薄后的LED晶片的背面的GaAs衬底在常温条件下利用电子束蒸发台在真空环境下使用Ni材料及Au材料蒸镀制成N面电极;c)将晶片放置到电子束蒸发台内,在真空调节下对LED晶片正面加热蒸镀一层氯化铯薄膜;d)P电极掩膜图形制作;e)欧姆接触层和P电极制作;g)使用锯片机对LED晶片进行管芯切割操作,得到分割完成的管芯。整个管芯结构的制作过程工艺简单,不需要使用腐蚀型溶液,全部使用常规设备制作,整个过程制操作简单,原材料成本较低,制成步骤简短,能够快速实现管芯的制作,适用于大规模量化生产,通用于所有砷化镓基发光二极管中的管芯结构的制作工艺。
附件下载:  (原始资料备查)

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