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一种LED晶片减薄过程降低翘曲度的方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-105-9942-7773
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L21/67;H01L33/00;H01L21/3065类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明涉及一种LED晶片减薄过程降低翘曲度的方法,属于LED芯片技术领域。本发明使用ICP刻蚀来代替细磨机磨削晶圆背面损伤层,可以较好的去除因粗磨过程带来的较深层次损伤,降低晶圆翘曲度,因为使用粗磨机粗磨时,会使得晶圆表面及其内部存在应力损伤,导致减薄后晶圆存在表面翘曲的情况。本发明使用ICP刻蚀机,通过将通入的刻蚀气体变为等离子态,使其与晶圆表面发生化学反应,同时离子轰击协同作用将晶圆表面损伤层刻蚀掉,同时避免了细磨机磨削过程中导致的机械损伤,且降低了因深应力损伤带来的晶圆翘曲问题。本发明提出一种使用等离子体刻蚀替代湿法腐蚀对晶圆背面进行低损伤处理,工艺简单,降低了晶圆翘曲度。
附件下载:  (原始资料备查)

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