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一种GaAs基LED芯片的无光刻制备方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-724-9201-6007
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L33/00;H01L33/36;H01L33/40类
授权状态: 已授权
档案内容: 一种GaAs基LED芯片的无光刻制备方法,包括以下步骤:(1)在GaAs衬底上生长外延层;(2)制备排列有电极孔洞的贴片;(3)将步骤(2)制备的贴片贴在步骤(1)制备的GaAs基LED外延层上;(4)在贴片上通过蒸镀进行Au膜沉积,电极孔洞处的Au膜与外延层接触形成P电极;(5)将贴片取下并进行退火处理,得到P电极;(6)对GaAs衬底减薄及生长N电极。该方法通过设计具有电极孔洞的贴片,将该贴片与GaAs基LED外延片贴在一起制备P电极,无需光刻直接进行电极蒸镀得到P电极,避免了现有技术中光刻制备GaAs基LED芯片的P电极因化学腐蚀或光刻胶造成的电极大小波动问题,避免了光电参数波动,提高了生产效率,流程简便,适合规模化生产。
附件下载:  (原始资料备查)

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