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一种GaAs基AlGaInP单面双电极高亮四元发光二极管灯丝及其制备方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-725-1120-2290
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L33/32;H01L33/10;H01L33/06;H01L33/36;H01L33/62;H01L33/00类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明涉及一种GaAs基AlGaInP四元发光二极管灯丝及其制备方法。包括GaAs基AlGaInP四元发光二极管芯片,在芯片的每个周期单元两端均刻蚀形成端台面,并在该端台面上制作有金属引线电极;在每个周期单元内沿芯片单元一侧,经刻蚀形成对芯片单元的水平环切,并在GaAs衬底上芯片单元之间形成缝隙;对DBR层进行氧化使之成为绝缘层;裂片后以GaAs衬底为基板,周期单元内的相邻芯片单元之间P电极与N电极导线连通,有荧光胶包覆层将各芯片单元及基板完全包覆,引脚线部分露出荧光胶包覆层外。本发明突破了LED封装难题,使外延芯片至LED灯丝的整体成本降低55%以上,可直接进行封装,提高封装产出率。
附件下载:  (原始资料备查)

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