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一种黄光倒装LED外延结构及其制备方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-725-8681-1013
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L33/30;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/22;H01L33/00类
授权状态: 已授权
档案内容: 一种黄光倒装LED外延结构及其制备方法,其结构包括由下而上依次设置的GaAs衬底、GaAs缓冲层、GaInP腐蚀阻挡层、GaAs欧姆接触层、AlGaInP粗化层、AlInP#N限制层,AlGaInP#N波导层、量子阱有源层、AlGaInP#P波导层、AlInP#P限制层和GaP窗口层,量子阱有源层为Alsuby/subGasub1#y/subInP大应变量子阱有源层,y为0.01#0.5,应变量为10%#35%,在GaP窗口层之上依次设置第一梯度高掺层、第二梯度高掺层和第三梯度高掺层;利用金属有机化学气相沉积法依次制备各层。本发明通过使用大应变多量子阱有源层,增加空穴在有源层俘获,有效提高电子空穴复合,得到较高的内量子效率。同时在GaP欧姆接触层之上实现三步梯度降温,增加有效的外量子效率,拓展高亮度黄光LED的应用范围。
附件下载:  (原始资料备查)

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